1、 由于可以把原料密封在坩埚里，减少了挥发造成的泄漏和污染，使晶体的成分容易控制。
2、 操作简单，可以生长大尺寸的晶体。可生长的晶体品种也很多，且易实现程序化生长。
3、 由于每一个坩埚中的熔体都可以单独成核，这样可以在一个结晶炉中同时放入若干个坩埚，或者在一个大坩埚里放入一个多孔的柱形坩埚，每个孔都可以生长一块晶体，而它们则共用一个圆锥底部进行几何淘汰，这样可以大大提高成品率和工作效率。
1、 不适宜生长在冷却时体积变大的晶体。
2、 由于晶体在整个生长过程中直接与坩埚接触，往往会在晶体中引入较大的内应力和较多的杂质。
3、在晶体生长过程中难于直接观察，生长周期也比较长。
4、若在下降法中采用籽晶法生长，如何使籽晶在高温区既不完全熔融，又须使它有部分熔融以进行完全生长，是一个比较难控制的技术问题。
总之，B－S法的很大优点是能够制造大直径的晶体(直径达200mm)，其主要缺点是晶体和坩埚壁接触容易产生应力或寄生成核。
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